MOS Capacitor · p-Si / SiO₂ / 게이트
축적 · 평탄 · 공핍 · 반전을 한 화면에서 · 밴드 다이어그램과 C-V 동시 표시
게이트
n⁺ poly-Si · 4.05 V
p⁺ poly-Si · 5.15 V
Al · 4.28 V
Au · 5.10 V
기판 도핑 Na (p형)
산화막 두께 t_ox
게이트 전압 V_G
영역명 가리기
—
반도체 밴드 다이어그램 (표면 기준 실제 거리)
저주파 C-V 곡선
포인트를
V_G
로 옮기면 곡선 위 위치가 바뀝니다. 점선은 이론 최소 커패시턴스 C_min.
이 곡선은 저주파(준정적) C-V
입니다. 강반전에서 C가 다시 C_ox 쪽으로 올라가는 모양이 그 특징이고, 고주파에서는 강반전 구간이 C_min에 머뭅니다.
게이트–산화막 연결 (개략 · 산화막 폭 확대)
산화막 두께는 수 nm인데 반도체 공핍층은 수백 nm라, 같은 축에 그리면 산화막이 사라집니다. 그래서 폭은 개략으로 그리고
에너지 축만 실제 값
으로 그렸습니다.
일관성 자동 검사